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MMBD352LT1G中文资料

MMBD352LT1G图片

MMBD352LT1G外观图

  • 大小：93.77KB
  • 厂家：ONSEMI
  • 描述：ON Semiconductor [Dual Hot Carrier Mixer Diodes]
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：RF 二极管
  • 系列：-
  • 二极管类型：肖特基 - 1 对串联
  • 电压 - 峰值反向(最大)：7V
  • 电流 - 最大：-
  • 电容@ Vr, F：1pF @ 0V，1MHz
  • 电阻@ Vr, F：-
  • 功率耗散（最大）：225mW
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：MMBD352LT1GOSMMBD352LT1GOS-NDMMBD352LT1GOSTR

MMBD352LT1G供应商

更新时间:2023-01-01 07:32:49
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MBRA2H100T3GMM74HC02MMCIMX27LMOP4AMT29F8G08ABABAWP:BMCZ33793AEFMM3Z5V1ST1GMC1413DR2GMC9S08AW60CFUEML6554CUMM8430-2610RB3

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